На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MBT35200MT1 | MBT35200MT1G | MBT35200MT2G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-TSOP | ||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <35 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | <1.75 Вт | <625 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 1.5A, 1.5V | >100Ic, Vce = 1A, 1.5V | >100Ic, Vce = 1.5A, 1.5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <310 мВIb, Ic = 20mA, 2A | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | ||