Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<1 А
<1 А
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 100mA, 2V
>270Ic, Vce = 100mA, 2V
<350 мВIb, Ic = 25mA, 500mA
<350 мВIb, Ic = 25mA, 500mA
 
 
 
 
<320 МГц
<320 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TSMT3
TSMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<20 мА
<20 мА
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<125 мВт
<125 мВт
 
 
>200Ic, Vce = 2mA, 10V
>200Ic, Vce = 2mA, 10V
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<1 мкА
<1 мкА
Поверхностный
Поверхностный
SS Mini3-F1 (SC 89)
SS Mini3-F1 (SC 89)
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<2 А
<2 А
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<400 мВт
<400 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 200mA, 2V
>270Ic, Vce = 200mA, 2V
<180 мВIb, Ic = 50mA, 1A
<180 мВIb, Ic = 50mA, 1A
 
 
 
 
<360 МГц
<360 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TUMT3
TUMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<400 мВт
<400 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 200mA, 2V
>270Ic, Vce = 200mA, 2V
<370 мВIb, Ic = 50mA, 1A
<370 мВIb, Ic = 50mA, 1A
 
 
 
 
<280 МГц
<280 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TUMT3
TUMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<3 А
 
 
<30 В
<12.5 Вт
 
>100Ic, Vce = 100mA, 2V
<700 мВIb, Ic = 100mA, 2A
 
 
<100 МГц
 
 
PNP
 
 
 
 
 
 
<100 мкА
Поверхностный
SOT-32-3, TO-126-3
STMicroelectronics
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<185 В
<185 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>130Ic, Vce = 10mA, 5V
>130Ic, Vce = 10mA, 5V
<1 ВIb, Ic = 3mA, 30mA
<1 ВIb, Ic = 3mA, 30mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Mini3-G1 (SC-59)
Mini3-G1 (SC-59)
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
<32 В
<32 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>5000Ic, Vce = 100mA, 5V
>5000Ic, Vce = 100mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 400µA, 200mA
<1.5 ВIb, Ic = 400µA, 200mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
PNP Darlington
PNP Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>100Ic, Vce = 200mA, 5V
>100Ic, Vce = 200mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1.5 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
PW-Mold
PW-Mold
Toshiba
Toshiba
<3 А
<3 А
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>100Ic, Vce = 500mA, 5V
>100Ic, Vce = 500mA, 5V
<1.7 ВIb, Ic = 300mA, 3A
<1.7 ВIb, Ic = 300mA, 3A
 
 
 
 
<9 МГц
<9 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
PW-Mold
PW-Mold
Toshiba
Toshiba
<10 А
<10 А
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<35 Вт
<35 Вт
 
 
>90Ic, Vce = 2A, 2V
>90Ic, Vce = 2A, 2V
<600 мВIb, Ic = 230mA, 7A
<600 мВIb, Ic = 230mA, 7A
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-220F
TO-220F
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG