На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SB905-O(TE16L1,NQ | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PW-Mold |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1.5 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <150 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 200mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <50 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP |