MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
PowerTrench®
69 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
 
<1.7 Вт
 
 
 
4.973 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<23 А
 
 
N-ch
<5.5 мОмId, Vgs = 23A, 10V
 
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
69 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
 
<1.7 Вт
 
 
 
4.973 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<23 А
 
 
N-ch
<4.5 мОмId, Vgs = 23A, 10V
 
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
55 нCVgs = 5V
55 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
 
 
 
3.63 нФVds = 15V
3.63 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<16 А
<16 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<7.5 мОмId, Vgs = 16A, 10V
<7.5 мОмId, Vgs = 16A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
53 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
 
<1.5 Вт
 
 
 
2.271 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<17.5 А
 
 
N-ch
<6 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V
 
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
48 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
 
<1.5 Вт
 
 
 
3.845 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<21 А
 
 
N-ch
<4 мОмId, Vgs = 21A, 10V
 
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
48 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
 
<1.5 Вт
 
 
 
3.845 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<23 А
 
 
N-ch
<3 мОмId, Vgs = 23A, 10V
 
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
80 нCVgs = 10V
80 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.7 Вт
<1.7 Вт
 
 
 
 
 
 
3.23 нФVds = 15V
3.23 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<21 А
<21 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4 мОмId, Vgs = 21A, 10V
<4 мОмId, Vgs = 21A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
22 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
 
<1.5 Вт
 
 
 
1.587 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<14 А
 
 
N-ch
<9 мОмId, Vgs = 14A, 10V
 
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width)
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
22 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
 
<1.5 Вт
 
 
 
1.587 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<14 А
 
 
N-ch
<9 мОмId, Vgs = 14A, 10V
 
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
69 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
 
<1.5 Вт
 
 
 
3.3 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<20 А
 
 
N-ch
<4.5 мОмId, Vgs = 20.5A, 10V
 
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Fairchild Semiconductor