FDS7288N3

FDS7288N3

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDS7288N3
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.3 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<20 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<4.5 мОмId, Vgs = 20.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
69 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate