MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.08 Вт
<1.08 Вт
 
 
 
 
 
 
227 пФVds = 10V
227 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.7 А
<2.7 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<100 мОмId, Vgs = 2.7A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 2.7A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
12 нCVgs = 10V
12 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.4 Вт
<1.4 Вт
 
 
 
 
 
 
432 пФVds = 15V
432 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3.5 А
<3.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<77 мОмId, Vgs = 4.2A, 10V
<77 мОмId, Vgs = 4.2A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23
SOT-23
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.08 Вт
<1.08 Вт
 
 
 
 
 
 
227 пФVds = 10V
227 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.7 А
<2.7 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<122 мОмId, Vgs = 2.7A, 10V
<122 мОмId, Vgs = 2.7A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
7 нCVgs = 4.5V
7 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.14 Вт
<2.14 Вт
 
 
 
 
 
 
674 пФVds = 20V
674 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<7.2 А
<7.2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<51 мОмId, Vgs = 12A, 10V
<51 мОмId, Vgs = 12A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Diodes/Zetex
Diodes/Zetex
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<425 мВт
<425 мВт
 
 
 
 
 
 
29 пФVds = 4V
29 пФVds = 4V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<6 ОмId, Vgs = 100mA, 4V
<6 ОмId, Vgs = 100mA, 4V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
3-DFN
3-DFN
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
 
 
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
 
 
<1.4 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
632 пФVds = 10V
632 пФVds = 10V
632 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
 
<3.5 А
<2.9 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<95 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V
<95 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V
<95 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
6-DFN
8-DFN
Diodes Inc
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
1 нCVgs = 4V
1 нCVgs = 4V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<150 мВт
<150 мВт
 
 
 
 
 
 
26 пФVds = 20V
26 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.9 ОмId, Vgs = 100mA, 4V
<2.9 ОмId, Vgs = 100mA, 4V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
4.5 нCVgs = 10V
4.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
 
 
 
100 пФVds = 10V
100 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.3 А
<1.3 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<224 мОмId, Vgs = 600mA, 4V
<224 мОмId, Vgs = 600mA, 4V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
28 нCVgs = 10V
28 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
1.4 нФVds = 10V
1.4 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<7 А
<7 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<25 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V
<25 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
33 нCVgs = 4.5V
33 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
3.18 нФVds = 6V
3.18 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<9.5 А
<9.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<16 мОмId, Vgs = 4.5A, 4.5V
<16 мОмId, Vgs = 4.5A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co