На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DMP57D5UFB-7 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 3-DFN |
Производитель | Производитель | Diodes Inc |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <425 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 29 пФVds = 4V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <50 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <200 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <6 ОмId, Vgs = 100mA, 4V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |