MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
SIPMOS®
SIPMOS®
16.5 нCVgs = 10V
16.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
372 пФVds = 25V
372 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<1 А
<1 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<800 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<800 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
5.9 нCVgs = 10V
5.9 нCVgs = 10V
5.9 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
154 пФVds = 25V
154 пФVds = 25V
154 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<400 В
<400 В
<400 В
<170 мА
<170 мА
<170 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<25 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<25 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<25 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
520 пФVds = 25V
520 пФVds = 25V
520 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<1.7 А
<1.7 А
<1.7 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<310 мОмId, Vgs = 1.7A, 5V
<310 мОмId, Vgs = 1.7A, 5V
<310 мОмId, Vgs = 1.7A, 5V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
550 пФVds = 25V
550 пФVds = 25V
550 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<1.7 А
<1.7 А
<1.7 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<300 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
42 нCVgs = 10V
42 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
1.39 нФVds = 25V
1.39 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<5.2 А
<5.2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<33 мОмId, Vgs = 2.6A, 10V
<33 мОмId, Vgs = 2.6A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
33 нCVgs = 10V
33 нCVgs = 10V
33 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
875 пФVds = 25V
875 пФVds = 25V
875 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<2.9 А
<2.9 А
<2.9 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<130 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
10 нCVgs = 10V
10 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
330 пФVds = 25V
330 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<2.8 А
<2.8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<90 мОмId, Vgs = 1.4A, 10V
<90 мОмId, Vgs = 1.4A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
6.8 нCVgs = 10V
6.8 нCVgs = 10V
6.8 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
95 пФVds = 25V
95 пФVds = 25V
95 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<240 В
<240 В
<240 В
<350 мА
<350 мА
<350 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<6 ОмId, Vgs = 350mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 350mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 350mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
SIPMOS®
 
 
6.4 нCVgs = 10V
 
Standard
Logic Level Gate
 
 
 
 
<1.5 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
120 пФVds = 25V
140 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<240 В
<240 В
<240 В
 
<375 мА
<350 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<5 ОмId, Vgs = 340mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 350mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
 
NXP Semiconductors
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
5.4 нCVgs = 10V
5.4 нCVgs = 10V
5.4 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
104 пФVds = 25V
104 пФVds = 25V
104 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<250 В
<260 мА
<260 мА
<260 мА
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<12 ОмId, Vgs = 260mA, 10V
<12 ОмId, Vgs = 260mA, 10V
<12 ОмId, Vgs = 260mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies