На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSP89,115 | BSP89E6327 | BSP89L6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <1.5 Вт | <1.8 Вт | <1.8 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 120 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <240 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <375 мА | <350 мА | <350 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 340mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 350mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 350mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | SIPMOS® | SIPMOS® |
Заряд затвора | QG | (не задано) | 6.4 нCVgs = 10V | 6.4 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |