MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
400 пФVds = 25V
400 пФVds = 25V
400 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<400 В
<400 В
<400 В
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<3 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<3 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<3 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
400 пФVds = 25V
400 пФVds = 25V
400 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<500 В
<400 мА
<400 мА
<400 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<4 ОмId, Vgs = 400mA, 10V
<4 ОмId, Vgs = 400mA, 10V
<4 ОмId, Vgs = 400mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
230 пФVds = 25V
230 пФVds = 25V
230 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<800 В
<800 В
<800 В
<190 мА
<190 мА
<190 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<20 ОмId, Vgs = 190mA, 10V
<20 ОмId, Vgs = 190mA, 10V
<20 ОмId, Vgs = 190mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
90 пФVds = 25V
90 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<300 В
<300 В
<170 мА
<170 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<17 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<17 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
7.8 нCVgs = 10V
7.8 нCVgs = 10V
7.8 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
160 пФVds = 25V
160 пФVds = 25V
160 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<1.17 А
<1.17 А
<1.17 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<800 мОмId, Vgs = 1.17A, 10V
<800 мОмId, Vgs = 1.17A, 10V
<800 мОмId, Vgs = 1.17A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
6.4 нCVgs = 10V
6.4 нCVgs = 10V
6.4 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
146 пФVds = 25V
146 пФVds = 25V
146 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<680 мА
<680 мА
<680 мА
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<1.8 ОмId, Vgs = 680mA, 10V
<1.8 ОмId, Vgs = 680mA, 10V
<1.8 ОмId, Vgs = 680mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
15.1 нCVgs = 10V
15.1 нCVgs = 10V
15.1 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
262 пФVds = 25V
262 пФVds = 25V
262 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<250 В
<430 мА
<430 мА
<430 мА
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<4 ОмId, Vgs = 430mA, 10V
<4 ОмId, Vgs = 430mA, 10V
<4 ОмId, Vgs = 430mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
20 нCVgs = 10V
20 нCVgs = 10V
20 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
380 пФVds = 25V
380 пФVds = 25V
380 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<2.6 А
<2.6 А
<2.6 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<90 мОмId, Vgs = 2.6A, 10V
<90 мОмId, Vgs = 2.6A, 10V
<90 мОмId, Vgs = 2.6A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
12 нCVgs = 10V
12 нCVgs = 10V
12 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
340 пФVds = 25V
340 пФVds = 25V
340 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<2.9 А
<2.9 А
<2.9 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<120 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
<120 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
<120 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
12 нCVgs = 10V
12 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
319 пФVds = 25V
319 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<980 мА
<980 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<900 мОмId, Vgs = 980mA, 10V
<900 мОмId, Vgs = 980mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies