На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSP317PE6327 | BSP317PE6327T | BSP317PL6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <1.8 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 262 пФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <250 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <430 мА | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4 ОмId, Vgs = 430mA, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | SIPMOS® | ||
Заряд затвора | QG | 15.1 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||