MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
50.4 нCVgs = 4.5V
50.4 нCVgs = 4.5V
50.4 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.35 Вт
<2.35 Вт
<2.35 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.265 нФVds = 15V
2.265 нФVds = 15V
2.265 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<9 А
<9 А
<9 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<21 мОмId, Vgs = 9A, 4.5V
<21 мОмId, Vgs = 9A, 4.5V
<21 мОмId, Vgs = 9A, 4.5V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
8-SOIC
8-SOIC
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
10.4 нCVgs = 10V
10.4 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.56 Вт
<1.56 Вт
 
 
 
 
 
 
800 пФVds = 15V
800 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<7 А
<7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<22 мОмId, Vgs = 8.6A, 10V
<22 мОмId, Vgs = 8.6A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
4.6 нCVgs = 5V
4.6 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.56 Вт
<1.56 Вт
 
 
 
 
 
 
600 пФVds = 15V
600 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5.7 А
<5.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<30 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V
<30 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
136 нCVgs = 10V
136 нCVgs = 10V
136 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.79 Вт
<1.79 Вт
<1.79 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
5.89 нФVds = 25V
5.89 нФVds = 25V
5.89 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<12.6 А
<12.6 А
<12.6 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<8 мОмId, Vgs = 14.9A, 10V
<8 мОмId, Vgs = 14.9A, 10V
<8 мОмId, Vgs = 14.9A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
DSO-8
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
69 нCVgs = 10V
69 нCVgs = 10V
69 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.35 Вт
<2.35 Вт
<2.35 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.754 нФVds = 25V
1.754 нФVds = 25V
1.754 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<8.9 А
<8.9 А
<8.9 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<21 мОмId, Vgs = 8.9A, 10V
<21 мОмId, Vgs = 8.9A, 10V
<21 мОмId, Vgs = 8.9A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
8-SOIC
8-SOIC
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
21 нCVgs = 5V
21 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
1.28 нФVds = 25V
1.28 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<11.1 А
<11.1 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<13 мОмId, Vgs = 11.1A, 10V
<13 мОмId, Vgs = 11.1A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-SOIC
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
33.7 нCVgs = 5V
33.7 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
2.213 нФVds = 25V
2.213 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<13 А
<13 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7.8 мОмId, Vgs = 13A, 10V
<7.8 мОмId, Vgs = 13A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-SOIC
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
26.2 нCVgs = 5V
26.2 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
1.64 нФVds = 25V
1.64 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<12.7 А
<12.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<10 мОмId, Vgs = 12.7A, 10V
<10 мОмId, Vgs = 12.7A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-SOIC
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
30 нCVgs = 10V
30 нCVgs = 10V
30 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
875 пФVds = 25V
875 пФVds = 25V
875 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<3.44 А
<3.44 А
<3.44 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<130 мОмId, Vgs = 3.44A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 3.44A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 3.44A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
DSO-8
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
TrenchMOS™
TrenchMOS™
40 нCVgs = 10V
40 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<8.3 Вт
<8.3 Вт
 
 
 
 
 
 
770 пФVds = 24V
770 пФVds = 24V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<10 А
<10 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<30 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<30 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors