На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSO303SP | BSO303SPT | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <2.35 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.754 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <8.9 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <21 мОмId, Vgs = 8.9A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 69 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |