MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
OptiMOS™
OptiMOS™
108 нCVgs = 10V
108 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<139 Вт
<139 Вт
 
 
 
 
 
 
8.8 нФVds = 20V
8.8 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.7 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<1.7 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
150 нCVgs = 10V
150 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<125 Вт
<125 Вт
 
 
 
 
 
 
12 нФVds = 20V
12 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.8 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<1.8 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
 
108 нCVgs = 10V
 
Logic Level Gate
Standard
 
 
 
 
<104 Вт
<125 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
13 нФVds = 10V
8.8 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<40 В
<100 А
<100 А
<100 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<1.95 мОмId, Vgs = 50A, 4.5V
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
66 нCVgs = 5V
124 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<104 Вт
<96 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8.29 нФVds = 15V
9.6 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<30 В
<100 А
<100 А
<100 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<2 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
58 нCVgs = 5V
64 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<104 Вт
<104 Вт
<104 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
7.49 нФVds = 15V
8.29 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
 
<50 А
<100 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<2.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<2.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<2.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
52 нCVgs = 5V
52 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<89 Вт
<89 Вт
 
 
 
 
 
 
6.53 нФVds = 15V
6.53 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<2.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
74 нCVgs = 10V
98 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<83 Вт
<83 Вт
<83 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6.1 нФVds = 15V
7.6 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<100 А
<100 А
<100 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<2.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
52.7 нCVgs = 4.5V
52.7 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<78 Вт
<78 Вт
 
 
 
 
 
 
7.8 нФVds = 10V
7.8 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.6 мОмId, Vgs = 50A, 4.5V
<2.6 мОмId, Vgs = 50A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
51 нCVgs = 5V
85 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<89 Вт
<83 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6.54 нФVds = 15V
6.8 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<40 В
<100 А
<100 А
<100 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<2.7 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<2.7 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<2.7 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
175 нCVgs = 10V
175 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<139 Вт
<139 Вт
 
 
 
 
 
 
13 нФVds = 30V
13 нФVds = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.8 мОмId, Vgs = 50, 10V
<2.8 мОмId, Vgs = 50, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies