На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSC020N025SG | BSC020N03MSG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TDSON-8 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <104 Вт | <96 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 8.29 нФVds = 15V | 9.6 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <100 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <2 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 66 нCVgs = 5V | 124 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |