MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
 
800 нCVgs = 10V
800 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<3.29 кВт
<3.29 кВт
 
 
 
 
 
 
42.2 нФVds = 25V
42.2 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<335 А
<335 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<15 мОмId, Vgs = 167.5A, 10V
<15 мОмId, Vgs = 167.5A, 10V
 
 
На шасси/провод
На шасси/провод
SP6
SP6
Microsemi-PPG
Microsemi-PPG
 
 
492 нCVgs = 10V
492 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<1.136 кВт
<1.136 кВт
 
 
 
 
 
 
22.4 нФVds = 25V
22.4 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<163 А
<163 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<19 мОмId, Vgs = 81.5A, 10V
<19 мОмId, Vgs = 81.5A, 10V
 
 
На шасси/провод
На шасси/провод
J3 Module
J3 Module
Microsemi-PPG
Microsemi-PPG
 
 
364 нCVgs = 10V
364 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<1.25 кВт
<1.25 кВт
 
 
 
 
 
 
17.5 нФVds = 25V
17.5 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<149 А
<149 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<25 мОмId, Vgs = 74.5A, 10V
<25 мОмId, Vgs = 74.5A, 10V
 
 
На шасси/провод
На шасси/провод
J3 Module
J3 Module
Microsemi-PPG
Microsemi-PPG
 
 
34 нCVgs = 10V
34 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
1.49 нФVds = 10V
1.49 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<18.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<18.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
76 нCVgs = 10V
76 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<60 Вт
<60 Вт
 
 
 
 
 
 
3.95 нФVds = 10V
3.95 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<75 А
<75 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<8.4 мОмId, Vgs = 38A, 10V
<8.4 мОмId, Vgs = 38A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
29 нCVgs = 10V
29 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
1.38 нФVds = 20V
1.38 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<30 А
<30 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<25 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<25 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
79.5 нCVgs = 10V
79.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<60 Вт
<60 Вт
 
 
 
 
 
 
3.85 нФVds = 20V
3.85 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<70 А
<70 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<10.4 мОмId, Vgs = 35A, 10V
<10.4 мОмId, Vgs = 35A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<35 А
<35 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
27 нCVgs = 10V
27 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
1.65 нФVds = 10V
1.65 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<12 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<12 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
44 нCVgs = 10V
44 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
2.75 нФVds = 10V
2.75 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<75 А
<75 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<8.2 мОмId, Vgs = 38A, 10V
<8.2 мОмId, Vgs = 38A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co