APTM50UM25SG

APTM50UM25, APTM50UM25SG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTM50UM25SG
Корпус микросхемы
Корпус
J3 Module
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<1.25 кВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
17.5 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<500 В
Постоянный ток стока
IDSS
<149 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<25 мОмId, Vgs = 74.5A, 10V
Заряд затвора
QG
364 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard