Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>355mA, 10V
>355mA, 10V
>355mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
700 МГц
700 МГц
700 МГц
 
 
 
3 дБ200MHz
3 дБ200MHz
3 дБ200MHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<250 мА
<250 мА
 
 
 
 
<10 В
<10 В
<400 мВт
<400 мВт
 
 
>2550mA, 5V
>2550mA, 5V
 
 
 
 
 
 
1.9 ГГц
1.9 ГГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-343N
SOT-343N
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<150 мА
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<1 Вт
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
>80100mA, 10V
>80100mA, 8V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
7 ГГц
6 ГГц
 
 
 
 
1.5 дБ ~ 2.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
 
NXP Semiconductors
Infineon Technologies
<80 мА
<80 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<600 мВт
<600 мВт
 
 
>7030mA, 8V
>7030mA, 8V
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
 
 
1 дБ ~ 1.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz
1 дБ ~ 1.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<800 мВт
<800 мВт
 
 
>7050mA, 8V
>7050mA, 8V
 
 
 
 
 
 
7.5 ГГц
7.5 ГГц
 
 
1.3 дБ ~ 2.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz
1.3 дБ ~ 2.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<10 В
<10 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>4050mA, 5V
>4050mA, 5V
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<210 мА
<210 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>7070mA, 8V
>7070mA, 8V
 
 
 
 
 
 
5.5 ГГц
5.5 ГГц
 
 
2 дБ ~ 3 дБ900MHz ~ 1.8GHz
2 дБ ~ 3 дБ900MHz ~ 1.8GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<600 мВт
<600 мВт
 
 
>40200mA, 2V
>40200mA, 2V
 
 
 
 
 
 
1.9 ГГц
1.9 ГГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-343R
SOT-343R
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<2 Вт
<2 Вт
 
 
>75200mA, 8V
>75200mA, 8V
 
 
 
 
 
 
5.5 ГГц
5.5 ГГц
 
 
1.7 дБ900MHz
1.7 дБ900MHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies
<6.5 мА
<6.5 мА
 
 
 
 
<5 В
<5 В
<32 мВт
<32 мВт
 
 
>50500µA, 1V
>50500µA, 1V
 
 
 
 
 
 
5 ГГц
5 ГГц
 
 
1.8 дБ ~ 2 дБ1GHz
1.8 дБ ~ 2 дБ1GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors