Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<200 мА
 
 
<20 В
<3 Вт
 
>20110mA, 8V
 
 
 
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
4-SMD (200 mil BeO)
Avago Technologies US Inc.
<200 мА
 
 
<20 В
<3 Вт
 
>20110mA, 8V
 
 
 
4 ГГц
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхностный монтаж
Avago Technologies US Inc.
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<125 В
<125 В
<330 мВт
<330 мВт
 
 
>63100mA, 1V
>63100mA, 1V
 
 
 
 
 
 
100 МГц
100 МГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Infineon Technologies
Infineon Technologies
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>387mA, 10V
>387mA, 10V
>387mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.1 ГГц
1.1 ГГц
1.1 ГГц
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
 
 
 
 
 
 
>651mA, 10V
>651mA, 10V
>651mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.1 ГГц
1.1 ГГц
1.1 ГГц
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<30 мА
<30 мА
<30 мА
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>671mA, 10V
>671mA, 10V
>671mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<90 мА
<90 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<300 мВт
<300 мВт
 
 
>7030mA, 8V
>7030mA, 8V
 
 
 
 
 
 
6 ГГц
6 ГГц
 
 
1.5 дБ ~ 2.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz
1.5 дБ ~ 2.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
<80 мА
<80 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<580 мВт
<580 мВт
 
 
>7030mA, 8V
>7030mA, 8V
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
 
 
1 дБ ~ 1.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz
1 дБ ~ 1.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
<45 мА
<45 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<280 мВт
<280 мВт
 
 
>7015mA, 8V
>7015mA, 8V
 
 
 
 
 
 
5 ГГц
5 ГГц
 
 
1.4 дБ ~ 2 дБ900MHz ~ 1.8GHz
1.4 дБ ~ 2 дБ900MHz ~ 1.8GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
<35 мА
<35 мА
<35 мА
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<280 мВт
<280 мВт
<280 мВт
 
 
 
>4020mA
>4020mA
>4020mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.1 ГГц
1.1 ГГц
1.1 ГГц
 
 
 
3 дБ100MHz
3 дБ100MHz
3 дБ100MHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SOT-23
SOT-323
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies