На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BF799E6327 | BF799WE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | SOT-323 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <35 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <20 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <280 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >4020mA | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 1.1 ГГц | |
Коефіцієнт шума | NF | 3 дБ100MHz | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | ||