Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<250 мВт
<250 мВт
 
 
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
PNP Darlington
PNP Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<300 В
<300 В
<300 В
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
<500 мВIb, Ic = 2mA, 10mA
<500 мВIb, Ic = 2mA, 10mA
<500 мВIb, Ic = 2mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
 
<200 мВт
<250 мВт
 
 
 
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
<25 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<25 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<25 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
<420 МГц
<280 МГц
 
 
 
 
 
 
 
NPN+Diode (Isolated)
PNP+Diode (Isolated)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<600 мВт
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
 
<80 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
<140 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
 
 
 
NPN+Diode (Isolated)
PNP+Diode (Isolated)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-74-6
SC-74-6
SC-74-6
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
<2 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
 
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
 
<75 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
<120 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
 
 
 
NPN+Diode (Isolated)
PNP+Diode (Isolated)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-74-6
SC-74-6
SC-74-6
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<2 А
<2 А
<2 А
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<1 Вт
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
>200Ic, Vce = 100mA, 2V
>200Ic, Vce = 100mA, 2V
>200Ic, Vce = 100mA, 2V
 
<80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
 
NPN+Diode (Isolated)
PNP+Diode (Isolated)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
>40Ic, Vce = 100µA, 1V
>40Ic, Vce = 100µA, 1V
>40Ic, Vce = 100µA, 1V
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<180 МГц
<180 МГц
<180 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>60Ic, Vce = 100µA, 1V
>60Ic, Vce = 100µA, 1V
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors