На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PMEM4030NS,115 | PMEM4030PS,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <2 А | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1 Вт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN+Diode (Isolated) | PNP+Diode (Isolated) |