MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
TPCS8212
TPCS8212(TE12L,Q,M
 
 
20 нCVgs = 5V
20 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
 
 
 
1.59 нФVds = 10V
1.59 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<24 мОмId, Vgs = 4.8A, 4V
<24 мОмId, Vgs = 4.8A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Toshiba
Toshiba
TPCS8213
TPCS8213(TE12L,Q)
 
 
48 нCVgs = 5V
48 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
3.14 нФVds = 10V
3.14 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<12 мОмId, Vgs = 4.8A, 4.5V
<12 мОмId, Vgs = 4.8A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
Toshiba
Toshiba
TPCS8214
TPCS8214(TE12L,Q)
 
 
42 нCVgs = 5V
42 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
 
 
 
3.24 нФVds = 10V
3.24 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<13 мОмId, Vgs = 4.8A, 4.5V
<13 мОмId, Vgs = 4.8A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Toshiba
Toshiba
TPCS8302
TPCS8302(TE12L,Q,M
TPCS8302(TE12L,Q)
 
 
 
28.5 нCVgs = 5V
28.5 нCVgs = 5V
28.5 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<600 мВт
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.59 нФVds = 10V
1.59 нФVds = 10V
1.59 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<5 А
<5 А
<5 А
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<35 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<35 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<35 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
Toshiba
Toshiba
Toshiba
TPCS8303
TPCS8303(TE12L,Q)
 
 
33 нCVgs = 5V
33 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
 
 
 
2.56 нФVds = 10V
2.56 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<21 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<21 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Toshiba
Toshiba
TPCT4203
TPCT4203(TE12L,E)
 
 
11 нCVgs = 5V
11 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<470 мВт
<470 мВт
 
 
 
 
 
 
790 пФVds = 10V
790 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<31 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<31 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Toshiba
Toshiba
TPS1120
TPS1120D
TPS1120DG4
▾
 
 
 
5.45 нCVgs = 10V
5.45 нCVgs = 10V
5.45 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<840 мВт
<840 мВт
<840 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<1.17 А
<1.17 А
<1.17 А
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
TT8J21
TT8J21TR
 
 
12 нCVgs = 4.5V
12 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
1.27 нФVds = 10V
1.27 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<68 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<68 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
TT8J2
TT8J2TR
 
 
4.8 нCVgs = 5V
4.8 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
460 пФVds = 10V
460 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<84 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
<84 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-TSST
8-TSST
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
TT8K2
TT8K2TR
 
 
3.2 нCVgs = 4.5V
3.2 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
180 пФVds = 10V
180 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<90 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<90 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-TSST
8-TSST
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor