На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TPS1120D | TPS1120DG4 | TPS1120DR | TPS1120DRG4 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |||
Виробник | Виробник | Texas Instruments | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <840 мВт | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <15 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <1.17 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V | |||
Заряд затвору | QG | 5.45 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||