MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
21 нCVgs = 4.5V
21 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4.9 А
<4.9 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<32 мОмId, Vgs = 6.5A, 4.5V
<32 мОмId, Vgs = 6.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
28 нCVgs = 10V
28 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.08 нФVds = 15V
1.08 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<8.7 А
<8.7 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<14.5 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<14.5 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
56 нCVgs = 10V
56 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5.8 А
<5.8 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<23 мОмId, Vgs = 7.6A, 10V
<23 мОмId, Vgs = 7.6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
11 нCVgs = 4.5V
11 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<19 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<19 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
21 нCVgs = 10V
21 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.4 Вт
<1.4 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<75 В
<75 В
<3.6 А
<3.6 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<48 мОмId, Vgs = 4.8A, 10V
<48 мОмId, Vgs = 4.8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
7.5 нCVgs = 10V
7.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.9 А
<2.9 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<85 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
<85 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
1206-8 ChipFET™
1206-8 ChipFET™
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
6.6 нCVgs = 5V
6.6 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.1 Вт
<2.1 Вт
 
 
 
 
 
 
455 пФVds = 10V
455 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<52 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
<52 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
1206-8 ChipFET™
1206-8 ChipFET™
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
7.1 нCVgs = 5V
7.1 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.1 Вт
<2.1 Вт
 
 
 
 
 
 
435 пФVds = 15V
435 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<55 мОмId, Vgs = 4.8A, 4.5V
<55 мОмId, Vgs = 4.8A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
1206-8 ChipFET™
1206-8 ChipFET™
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
6 нCVgs = 4.5V
6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3.1 А
<3.1 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<75 мОмId, Vgs = 3.1A, 4.5V
<75 мОмId, Vgs = 3.1A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
1206-8 ChipFET™
1206-8 ChipFET™
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
7.5 нCVgs = 4.5V
7.5 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4.4 А
<4.4 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<40 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V
<40 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
1206-8 ChipFET™
1206-8 ChipFET™
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix