На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI5511DC-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 1206-8 ChipFET™ |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <2.1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 435 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <55 мОмId, Vgs = 4.8A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 7.1 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <2.3 А |
Постійна потужність, що може розсіюватись другим транзистором | P2 | <1.3 Вт |