MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
FETKY™
FETKY™
FETKY™
10.5 нCVgs = 5V
10.5 нCVgs = 5V
10.5 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
780 пФVds = 16V
780 пФVds = 16V
780 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<6.2 А
<6.2 А
<6.2 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<38 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
<38 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
<38 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
8-SOIC (3.9мм ширина)
SO-8
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
6.9 нCVgs = 4.5V
6.9 нCVgs = 4.5V
6.9 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.4 Вт
<1.4 Вт
<1.4 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
580 пФVds = 15V
580 пФVds = 15V
580 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<6.4 А
<6.4 А
<6.4 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<22.6 мОмId, Vgs = 6.4A, 10V
<22.6 мОмId, Vgs = 6.4A, 10V
<22.6 мОмId, Vgs = 6.4A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
8-SOIC (3.9мм ширина)
SO-8
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
11 нCVgs = 4.5V
11 нCVgs = 4.5V
11 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.4 Вт
<1.4 Вт
<1.4 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
910 пФVds = 15V
910 пФVds = 15V
910 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<7.6 А
<7.6 А
<7.6 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<16.2 мОмId, Vgs = 7.6A, 10V
<16.2 мОмId, Vgs = 7.6A, 10V
<16.2 мОмId, Vgs = 7.6A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
8-SOIC (3.9мм ширина)
SO-8
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
6.9 нCVgs = 4.5V
6.9 нCVgs = 4.5V
6.9 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
600 пФVds = 15V
600 пФVds = 15V
600 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<7.8 А
<7.8 А
<7.8 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<21.8 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
<21.8 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
<21.8 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
8-SOIC (3.9мм ширина)
SO-8
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
10 нCVgs = 4.5V
10 нCVgs = 4.5V
10 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
850 пФVds = 15V
850 пФVds = 15V
850 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<9.1 А
<9.1 А
<9.1 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<16.4 мОмId, Vgs = 9.1A, 10V
<16.4 мОмId, Vgs = 9.1A, 10V
<16.4 мОмId, Vgs = 9.1A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
8-SOIC (3.9мм ширина)
SO-8
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
26 нCVgs = 4.5V
26 нCVgs = 4.5V
26 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.73 нФVds = 6V
1.73 нФVds = 6V
1.73 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<10 А
<10 А
<10 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<15 мОмId, Vgs = 8A, 4.5V
<15 мОмId, Vgs = 8A, 4.5V
<15 мОмId, Vgs = 8A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
8-SOIC (3.9мм ширина)
SO-8
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
HEXFET®
 
90 нCVgs = 4.5V
9 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
760 пФVds = 15V
760 пФVds = 15V
760 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<9.7 А
<9.7 А
<9.7 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<15.5 мОмId, Vgs = 9.7A, 10V
<15.5 мОмId, Vgs = 9.7A, 10V
<15.5 мОмId, Vgs = 9.7A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC
8-SOIC
8-SOIC
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
HEXFET®
8.6 нCVgs = 4.5V
8.6 нCVgs = 4.5V
8.6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.5 Вт
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
766 пФVds = 15V
766 пФVds = 15V
766 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<8 А
<8 А
<8 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<15.5 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<15.5 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<15.5 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC
8-SOIC
8-SOIC
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
11 нCVgs = 4.5V
11 нCVgs = 4.5V
11 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
960 пФVds = 10V
960 пФVds = 10V
960 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<10 А
<10 А
<10 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<13.4 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<13.4 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<13.4 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
7.4 нCVgs = 4.5V
7.4 нCVgs = 4.5V
7.4 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
540 пФVds = 10V
540 пФVds = 10V
540 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<8.9 А
<8.9 А
<8.9 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<18.3 мОмId, Vgs = 8.9A, 10V
<18.3 мОмId, Vgs = 8.9A, 10V
<18.3 мОмId, Vgs = 8.9A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier