На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF8313PBF | IRF8313TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC | |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 760 пФVds = 15V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <9.7 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <15.5 мОмId, Vgs = 9.7A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 90 нCVgs = 4.5V | 9 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |