MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
10.1 нCVgs = 4.5V
10.1 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
820 пФVds = 15V
820 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5.8 А
<5.8 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<40 мОмId, Vgs = 4.6A, 4.5V
<40 мОмId, Vgs = 4.6A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOP
8-SOP
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
 
 
 
320 пФVds = 16V
320 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<150 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
<150 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-26
SOT-26
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
13.7 нCVgs = 10V
13.7 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
722 пФVds = 25V
722 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6.9 А
<6.9 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<45 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<45 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
7.8 нCVgs = 10V
7.8 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
336 пФVds = 25V
336 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<4.4 А
<4.4 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<65 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<65 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
 
 
 
29 пФVds = 25V
29 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<160 мА
<160 мА
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<6 ОмId, Vgs = 100mA, 4V
<6 ОмId, Vgs = 100mA, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-563
SOT-563
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
 
 
 
27 пФVds = 25V
27 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<160 мА
<160 мА
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<8 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
<8 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-563
SOT-563
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
12.8 нCVgs = 10V
12.8 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.3 Вт
<1.3 Вт
 
 
 
 
 
 
560 пФVds = 20V
560 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<93 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<93 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
13.8 нCVgs = 10V
13.8 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.3 Вт
<1.3 Вт
 
 
 
 
 
 
650 пФVds = 20V
650 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<260 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<260 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
24 нCVgs = 10V
24 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<1.4 Вт
<1.4 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<24 В
<24 В
<10 А
<10 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<14 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
<14 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
11 нCVgs = 4.5V
11 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.3 Вт
<1.3 Вт
 
 
 
 
 
 
960 пФVds = 10V
960 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<38 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<38 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co