На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ECH8619-TL-E | |
|---|---|---|
Виробник | Виробник | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.3 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 560 пФVds = 20V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <93 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V |
Заряд затвору | QG | 12.8 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <2 А |