MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
NexFET™
NexFET™
2.1 нCVgs = 4.5V
2.1 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
195 пФVds = 10V
195 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.2 А
<1.2 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<100 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
<100 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
6-DSBGA
6-DSBGA
Texas Instruments
Texas Instruments
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
30 нCVgs = 10V
30 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
435 пФVds = 25V
435 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<3.5 А
<3.5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<100 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.9 А
<2.9 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3.7 А
<3.7 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<250 мВт
<400 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
150 пФVds = 16V
150 пФVds = 16V
150 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
 
<540 мА
<670 мА
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SOT-563
Diodes Inc
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
150 пФVds = 16V
150 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<750 мА
<750 мА
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
<550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
6-DFN
6-DFN
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
12.4 нCVgs = 10V
12.4 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
631 пФVds = 15V
631 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<9.1 А
<9.1 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<20 мОмId, Vgs = 6.9A, 10V
<20 мОмId, Vgs = 6.9A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
5.2 нCVgs = 4.5V
5.2 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.3 Вт
<1.3 Вт
 
 
 
 
 
 
472 пФVds = 15V
472 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5.5 А
<5.5 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<28 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<28 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOP
8-SOP
Diodes/Zetex
Diodes/Zetex
 
 
8.6 нCVgs = 10V
8.6 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
384 пФVds = 15V
384 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6.9 А
<6.9 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<35 мОмId, Vgs = 6.9A, 10V
<35 мОмId, Vgs = 6.9A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Diodes Inc
Diodes Inc