DI9952T

DI9952, DI9952T

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDI9952T
Корпус мікросхеми
Корпус
8-SOIC (3.9мм ширина)
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2 Вт
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<2.9 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N and P-Channel
FET Feature
FET Feature
Standard
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2