MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
22.5 нCVgs = 10V
22.5 нCVgs = 10V
22.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
380 пФVds = 25V
380 пФVds = 25V
380 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<3.1 А
<3.1 А
<3.1 А
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<110 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
<110 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
<110 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SO-8
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
20 нCVgs = 10V
20 нCVgs = 10V
12 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
380 пФVds = 25V
380 пФVds = 25V
340 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<2.6 А
<2.6 А
<3.1 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<150 мОмId, Vgs = 2.6A, 4.5V
<150 мОмId, Vgs = 2.6A, 4.5V
<120 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SO-8
SO-8, 8-SOIC
SO-8, SO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
50 пФVds = 10V
50 пФVds = 10V
50 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<200 мА
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<3.5 ОмId, Vgs = 220mA, 10V
<3.5 ОмId, Vgs = 220mA, 10V
<3.5 ОмId, Vgs = 220mA, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Diodes Inc
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
50 пФVds = 25V
50 пФVds = 25V
50 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<115 мА
<115 мА
<115 мА
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<7.5 ОмId, Vgs = 50mA, 5V
<7.5 ОмId, Vgs = 50mA, 5V
<7.5 ОмId, Vgs = 50mA, 5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Diodes Inc
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
45 пФVds = 25V
45 пФVds = 25V
45 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<130 мА
<130 мА
<130 мА
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Diodes Inc
Diodes Inc
Diodes Inc
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
121 нCVgs = 10V
123 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<69 Вт
<69 Вт
<69 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6.1 нФVds = 25V
6.1 нФVds = 25V
6.1 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 А
<40 А
<40 А
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
 
<11.7 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<12 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
D²Pak, TO-263 (5 leads + tab)
TO-220-5
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
5.2 нCVgs = 10V
5.2 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
187 пФVds = 10V
187 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<105 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<105 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
5.2 нCVgs = 10V
5.2 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
187 пФVds = 10V
187 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<105 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<105 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
NexFET™
NexFET™
3.9 нCVgs = 4.5V
3.9 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
410 пФVds = 10V
410 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
9-DSBGA
9-DSBGA
Texas Instruments
Texas Instruments
NexFET™
NexFET™
2.2 нCVgs = 4.5V
2.2 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<750 мВт
<750 мВт
 
 
 
 
 
 
265 пФVds = 10V
265 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.2 А
<1.2 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<120 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
<120 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
9-DSBGA
9-DSBGA
Texas Instruments
Texas Instruments