На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSO615NG | BSO615NV | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SO-8, 8-SOIC | SO-8, SO-8 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 380 пФVds = 25V | 340 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.6 А | <3.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <150 мОмId, Vgs = 2.6A, 4.5V | <120 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | |
Заряд затвору | QG | 20 нCVgs = 10V | 12 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |