MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
OptiMOS™
23.9 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
 
<2 Вт
 
 
 
920 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
<20 В
<4.7 А
 
 
2 P-Channel (Dual)
<67 мОмId, Vgs = 4.7A, 4.5V
 
Поверхневий
SO-8
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
11.5 нCVgs = 10V
11.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
246 пФVds = 25V
246 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3.7 А
<3.7 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<100 мОмId, Vgs = 3.7A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 3.7A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SO-8
SO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
5 нCVgs = 4.5V
5 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.4 Вт
<1.4 Вт
 
 
 
 
 
 
800 пФVds = 15V
800 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<22 мОмId, Vgs = 7.7A, 10V
<22 мОмId, Vgs = 7.7A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
72.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
 
<2 Вт
 
 
 
1.761 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
<30 В
<8.2 А
 
 
2 P-Channel (Dual)
<21 мОмId, Vgs = 8.2A, 10V
 
Поверхневий
DSO-8
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
11.7 нCVgs = 10V
11.7 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
250 пФVds = 25V
250 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3.4 А
<3.4 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<110 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V
<110 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SO-8
SO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
4.9 нCVgs = 4.5V
4.9 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.4 Вт
<1.4 Вт
 
 
 
 
 
 
730 пФVds = 10V
730 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5.4 А
<5.4 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<30 мОмId, Vgs = 6.5A, 4.5V
<30 мОмId, Vgs = 6.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
3.7 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
 
<1.4 Вт
 
 
 
480 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<5 А
 
 
2 N-Channel (Dual)
<35 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
Поверхневий
DSO-8
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
17 нCVgs = 5V
17 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
870 пФVds = 25V
870 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<8 А
<8 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<20 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<20 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
26 нCVgs = 10V
26 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
870 пФVds = 25V
870 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<35 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
<35 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
15.5 нCVgs = 10V
15.5 нCVgs = 10V
15.5 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
340 пФVds = 25V
340 пФVds = 25V
340 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<3 А
<3 А
<3 А
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<120 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<120 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<120 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SO-8
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies