На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSO315C | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SO-8 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 250 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <3.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <110 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® |
Заряд затвору | QG | 11.7 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <2.3 А |