MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
TrenchFET®
TrenchFET®
2 нCVgs = 4.5V
2 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<730 мА
<730 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<400 мОмId, Vgs = 600mA, 4.5V
<400 мОмId, Vgs = 600mA, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
1.5 нCVgs = 10V
1.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<420 мА
<420 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
<1 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
 
8 нCVgs = 10V
8 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<360 мВт
<360 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<240 В
<240 В
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
<4 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
2.2 нCVgs = 4.5V
2.2 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<580 мА
<580 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<650 мОмId, Vgs = 580mA, 4.5V
<650 мОмId, Vgs = 580mA, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
1 нCVgs = 10V
1 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
31 пФVds = 15V
31 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<385 мА
<385 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<1.4 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<1.4 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
TrenchFET®
 
1.7 нCVgs = 15V
3 нCVgs = 15V
 
Logic Level Gate
Standard
 
 
 
 
<350 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
23 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
 
<185 мА
<270 мА
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
 
 
Поверхневий
Крізь отвір
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
 
15 нCVgs = 5V
15 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
755 пФVds = 10V
755 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<30 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<30 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
VS-6 (SOT-23-6)
VS-6 (SOT-23-6)
Toshiba
Toshiba
 
 
 
13 нCVgs = 10V
13 нCVgs = 10V
13 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<700 мВт
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
610 пФVds = 10V
610 пФVds = 10V
610 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<6 А
<6 А
<6 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<30 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<30 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<30 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
VS-6 (SOT-23-6)
VS-6 (SOT-23-6)
VS-6 (SOT-23-6)
Toshiba
Toshiba
Toshiba
 
 
25 нCVgs = 10V
25 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
1.25 нФVds = 10V
1.25 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<24 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<24 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
2-3T1A
2-3T1A
Toshiba
Toshiba
 
 
17 нCVgs = 5V
17 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
1.4 нФVds = 10V
1.4 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<24 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<24 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
2-3T1A
2-3T1A
Toshiba
Toshiba