На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TP0610KL-TR1-E3 | TP0610K-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <800 мВт | <350 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | (не задано) | 23 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <270 мА | <185 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | |
Заряд затвору | QG | 3 нCVgs = 15V | 1.7 нCVgs = 15V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |