MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
TrenchFET®
TrenchFET®
42 нCVgs = 8V
42 нCVgs = 8V
Standard
Standard
 
 
<31 Вт
<31 Вт
 
 
 
 
 
 
1.1 нФVds = 10V
1.1 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<12 А
<12 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<25 мОмId, Vgs = 5.9A, 4.5V
<25 мОмId, Vgs = 5.9A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® ChipFET Single
PowerPAK® ChipFET Single
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
54 нCVgs = 8V
54 нCVgs = 8V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<31 Вт
<31 Вт
 
 
 
 
 
 
2.1 нФVds = 10V
2.1 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<12 А
<12 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<15 мОмId, Vgs = 7.7A, 4.5V
<15 мОмId, Vgs = 7.7A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® ChipFET Single
PowerPAK® ChipFET Single
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
35 нCVgs = 8V
35 нCVgs = 8V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<6.2 Вт
<6.2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.29 нФVds = 4V
1.29 нФVds = 4V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<8 В
<8 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<36 мОмId, Vgs = 5.1A, 4.5V
<36 мОмId, Vgs = 5.1A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
1206-8 ChipFET™
1206-8 ChipFET™
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
 
7.7 нCVgs = 4.5V
7.7 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2.7 А
<2.7 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<110 мОмId, Vgs = 2.7A, 4.5V
<110 мОмId, Vgs = 2.7A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
1206-8 ChipFET™
1206-8 ChipFET™
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
7.7 нCVgs = 4.5V
7.7 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2.7 А
<2.7 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<110 мОмId, Vgs = 2.7A, 4.5V
<110 мОмId, Vgs = 2.7A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
1206-8 ChipFET™
1206-8 ChipFET™
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
7.5 нCVgs = 4.5V
7.5 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4.4 А
<4.4 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<40 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V
<40 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
1206-8 ChipFET™
1206-8 ChipFET™
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
 
17 нCVgs = 10V
17 нCVgs = 10V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<10.4 Вт
<10.4 Вт
 
 
 
 
 
 
480 пФVds = 10V
480 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<58 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V
<58 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® ChipFet Dual
PowerPAK® ChipFet Dual
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
 
16 нCVgs = 8V
16 нCVgs = 8V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<8.3 Вт
<8.3 Вт
 
 
 
 
 
 
520 пФVds = 10V
520 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<39 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V
<39 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® ChipFet Dual
PowerPAK® ChipFet Dual
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
TrenchFET®
 
33 нCVgs = 5V
33 нCVgs = 5V
33 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.5 Вт
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<7.8 А
<7.8 А
<7.8 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<14 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
<14 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
<14 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
8-TSSOP
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
TrenchFET®
 
70 нCVgs = 10V
70 нCVgs = 10V
70 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.5 Вт
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<6.5 А
<6.5 А
<6.5 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<19 мОмId, Vgs = 6.5A, 10V
<19 мОмId, Vgs = 6.5A, 10V
<19 мОмId, Vgs = 6.5A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
8-TSSOP
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix