На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI5853DC-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 1206-8 ChipFET™ |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.1 Вт |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <110 мОмId, Vgs = 2.7A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 7.7 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) |