MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
33 нCVgs = 5V
33 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
2 нФVds = 10V
2 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<11 А
<11 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<12.6 мОмId, Vgs = 11A, 10V
<12.6 мОмId, Vgs = 11A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
40.5 нCVgs = 15V
40.5 нCVgs = 15V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
2.3 нФVds = 10V
2.3 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<12.5 А
<12.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<10 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V
<10 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
45 нCVgs = 5V
45 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
2.6 нФVds = 10V
2.6 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<13 А
<13 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<9.5 мОмId, Vgs = 13A, 10V
<9.5 мОмId, Vgs = 13A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
48.5 нCVgs = 10V
48.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<20 Вт
<20 Вт
 
 
 
 
 
 
2.2 нФVds = 25V
2.2 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<20 А
<20 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<52 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<52 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<150 мВт
<150 мВт
 
 
 
 
 
 
30 пФVds = 10V
30 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<1.4 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<1.4 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
1.9 нCVgs = 5V
1.9 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
120 пФVds = 10V
120 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1 А
<1 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<350 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<350 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT3
TUMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
2 нCVgs = 5V
2 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
70 пФVds = 10V
70 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1.4 А
<1.4 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<240 мОмId, Vgs = 1.4A, 10V
<240 мОмId, Vgs = 1.4A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT3
TUMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
3.9 нCVgs = 5V
3.9 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
350 пФVds = 10V
350 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<120 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<120 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT6
TUMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<150 мВт
<150 мВт
 
 
 
 
 
 
30 пФVds = 10V
30 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<1.4 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<1.4 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
VMT3
VMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
3.1 нCVgs = 5V
3.1 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
110 пФVds = 10V
110 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<134 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<134 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor