На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | RSQ020N03TR | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TSMT6 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.25 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 110 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <2 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <134 мОмId, Vgs = 2A, 10V |
Заряд затвору | QG | 3.1 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |