MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
6.5 нCVgs = 10V
6.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
160 пФVds = 10V
160 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<120 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<120 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
4.4 нCVgs = 10V
4.4 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
15 пФVds = 10V
15 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.4 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<2.4 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
20 пФVds = 10V
20 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.2 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
<1.2 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
4 нCVgs = 4V
4 нCVgs = 4V
Standard
Standard
 
 
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
60 пФVds = 10V
60 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<580 мОмId, Vgs = 500mA, 4.5V
<580 мОмId, Vgs = 500mA, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
32 нCVgs = 4.5V
32 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<65 Вт
<65 Вт
 
 
 
 
 
 
5 нФVds = 10V
5 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<60 А
<60 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.8 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.8 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
28 нCVgs = 4.5V
28 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<60 Вт
<60 Вт
 
 
 
 
 
 
4.2 нФVds = 10V
4.2 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3.1 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<3.1 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
23 нCVgs = 4.5V
23 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<55 Вт
<55 Вт
 
 
 
 
 
 
3.3 нФVds = 10V
3.3 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3.7 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<3.7 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
17 нCVgs = 4.5V
17 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
2.5 нФVds = 10V
2.5 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<35 А
<35 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.8 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V
<4.8 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
8 нCVgs = 4.5V
8 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<45 Вт
<45 Вт
 
 
 
 
 
 
1.25 нФVds = 10V
1.25 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 А
<30 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<8 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<8 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
42 нCVgs = 4.5V
42 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<65 Вт
<65 Вт
 
 
 
 
 
 
6.38 нФVds = 10V
6.38 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<60 А
<60 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK
LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America