RHU002N06

RHU002N06, RHU002N06T106

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрRHU002N06T106
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<200 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
15 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В
Постійний струм стоку
IDSS
<200 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<2.4 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
Заряд затвору
QG
4.4 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate