MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
IXUV170N075
IXUV170N075S
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
<300 Вт
<300 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<75 В
<75 В
<170 А
<170 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PLUS-220SMD
PLUS-220SMD
IXYS
IXYS
MCH3377
MCH3377-TL-E
 
 
4.6 нCVgs = 4.5V
4.6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
375 пФVds = 10V
375 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<83 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<83 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
MCH3421
MCH3421-TL-E
 
 
4.8 нCVgs = 10V
4.8 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
165 пФVds = 20V
165 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<890 мОмId, Vgs = 400mA, 10V
<890 мОмId, Vgs = 400mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
MCH3427
MCH3427-TL-E
 
 
6 нCVgs = 4V
6 нCVgs = 4V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
400 пФVds = 10V
400 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<52 мОмId, Vgs = 2A, 4V
<52 мОмId, Vgs = 2A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
MCH3475
MCH3475-TL-E
 
 
2 нCVgs = 10V
2 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
88 пФVds = 10V
88 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1.8 А
<1.8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<180 мОмId, Vgs = 900mA, 10V
<180 мОмId, Vgs = 900mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
MCH5837
MCH5837-TL-E
 
 
1.8 нCVgs = 4V
1.8 нCVgs = 4V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
115 пФVds = 10V
115 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<145 мОмId, Vgs = 1A, 4V
<145 мОмId, Vgs = 1A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
MCH6337
MCH6337-TL-E
 
 
7.3 нCVgs = 4.5V
7.3 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
 
 
 
670 пФVds = 10V
670 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4.5 А
<4.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<49 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<49 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
MCH6412
MCH6412-TL-E
 
 
7 нCVgs = 4V
7 нCVgs = 4V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
 
 
 
790 пФVds = 10V
790 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<41 мОмId, Vgs = 3A, 4V
<41 мОмId, Vgs = 3A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
MCH6429
MCH6429-TL-E
 
 
8.2 нCVgs = 4V
8.2 нCVgs = 4V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
 
 
 
680 пФVds = 10V
680 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<28 мОмId, Vgs = 3A, 4V
<28 мОмId, Vgs = 3A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
MGSF1N02
MGSF1N02ELT1
MGSF1N02LT1
▾
 
 
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
160 пФVds = 5V
125 пФVds = 5V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<750 мА
<750 мА
<750 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<85 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
<90 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor