На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MGSF1N02ELT1 | MGSF1N02LT1 | MGSF1N02LT1G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <400 мВт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 160 пФVds = 5V | 125 пФVds = 5V | 125 пФVds = 5V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <750 мА | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <85 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V | <90 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V | <90 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||