MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
25 нCVgs = 5V
25 нCVgs = 5V
25 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<68 Вт
<68 Вт
<68 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
880 пФVds = 25V
880 пФVds = 25V
880 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<55 В
<28 А
<28 А
<28 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<40 мОмId, Vgs = 17A, 10V
<40 мОмId, Vgs = 17A, 10V
<40 мОмId, Vgs = 17A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
48 нCVgs = 5V
48 нCVgs = 5V
48 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<110 Вт
<110 Вт
<110 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.7 нФVds = 25V
1.7 нФVds = 25V
1.7 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<55 В
<42 А
<36 А
<42 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<27 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<27 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<27 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
33 нCVgs = 4.5V
33 нCVgs = 4.5V
33 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<120 Вт
<120 Вт
<120 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.89 нФVds = 25V
1.89 нФVds = 25V
1.89 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<30 А
<30 А
<30 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<28 мОмId, Vgs = 23A, 10V
<28 мОмId, Vgs = 23A, 10V
<28 мОмId, Vgs = 23A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
50 нCVgs = 4.5V
50 нCVgs = 4.5V
50 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<107 Вт
<107 Вт
<107 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.6 нФVds = 25V
1.6 нФVds = 25V
1.6 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<55 А
<55 А
<55 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<19 мОмId, Vgs = 33A, 10V
<19 мОмId, Vgs = 33A, 10V
<19 мОмId, Vgs = 33A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
20 нCVgs = 5V
20 нCVgs = 5V
20 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<57 Вт
<57 Вт
<57 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
710 пФVds = 25V
710 пФVds = 25V
710 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<55 В
<25 А
<25 А
<25 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<37 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<37 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<37 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
48 нCVgs = 4.5V
48 нCVgs = 4.5V
48 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<140 Вт
<140 Вт
<140 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.98 нФVds = 25V
3.98 нФVds = 25V
3.98 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<42 А
<42 А
<42 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<14 мОмId, Vgs = 38A, 10V
<14 мОмId, Vgs = 38A, 10V
<14 мОмId, Vgs = 38A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
56 нCVgs = 4.5V
56 нCVgs = 4.5V
56 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<140 Вт
<140 Вт
<140 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.81 нФVds = 25V
3.81 нФVds = 25V
3.81 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<42 А
<42 А
<42 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<4.9 мОмId, Vgs = 42A, 10V
<4.9 мОмId, Vgs = 42A, 10V
<4.9 мОмId, Vgs = 42A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
26 нCVgs = 4.5V
26 нCVgs = 4.5V
26 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<68 Вт
<68 Вт
<68 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
870 пФVds = 25V
870 пФVds = 25V
870 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<35 А
<35 А
<35 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<31 мОмId, Vgs = 21A, 10V
<31 мОмId, Vgs = 21A, 10V
<31 мОмId, Vgs = 21A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
34 нCVgs = 5V
34 нCVgs = 5V
34 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<79 Вт
<79 Вт
<79 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
800 пФVds = 25V
800 пФVds = 25V
800 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<17 А
<15 А
<17 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<105 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<105 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<105 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
49 нCVgs = 4.5V
49 нCVgs = 4.5V
49 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<143 Вт
<143 Вт
<143 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.779 нФVds = 50V
3.779 нФVds = 50V
3.779 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<50 А
<50 А
<50 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier