IRLR2905

IRLR2905, IRLR2905CPBF, IRLR2905PBF, IRLR2905TR, IRLR2905TRL, IRLR2905TRLPBF, IRLR2905TRPBF, IRLR2905TRR, IRLR2905TRRPBF, IRLR2905Z, IRLR2905ZPBF, IRLR2905ZTRLPBF, IRLR2905ZTRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRLR2905CPBFIRLR2905PBFIRLR2905TRIRLR2905TRLIRLR2905TRLPBFIRLR2905TRPBFIRLR2905TRRIRLR2905TRRPBFIRLR2905ZIRLR2905ZPBFIRLR2905ZTRLPBFIRLR2905ZTRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<110 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.7 нФVds = 25V1.7 нФVds = 25V1.7 нФVds = 25V1.7 нФVds = 25V1.7 нФVds = 25V1.7 нФVds = 25V1.7 нФVds = 25V1.7 нФVds = 25V1.57 нФVds = 25V1.57 нФVds = 25V1.57 нФVds = 25V1.57 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<55 В
Постійний струм стоку
IDSS
<36 А<42 А<42 А<42 А<42 А<42 А<42 А<42 А<42 А<42 А<42 А<42 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<27 мОмId, Vgs = 25A, 10V<27 мОмId, Vgs = 25A, 10V<27 мОмId, Vgs = 25A, 10V<27 мОмId, Vgs = 25A, 10V<27 мОмId, Vgs = 25A, 10V<27 мОмId, Vgs = 25A, 10V<27 мОмId, Vgs = 25A, 10V<27 мОмId, Vgs = 25A, 10V<13.5 мОмId, Vgs = 36A, 10V<13.5 мОмId, Vgs = 36A, 10V<13.5 мОмId, Vgs = 36A, 10V<13.5 мОмId, Vgs = 36A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
48 нCVgs = 5V48 нCVgs = 5V48 нCVgs = 5V48 нCVgs = 5V48 нCVgs = 5V48 нCVgs = 5V48 нCVgs = 5V48 нCVgs = 5V35 нCVgs = 5V35 нCVgs = 5V35 нCVgs = 5V35 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate