Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
780 пФVds = 10V
780 пФVds = 10V
780 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<4.2 А
<4.2 А
<4.2 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<70 мОмId, Vgs = 4.2A, 4.5V
<70 мОмId, Vgs = 4.2A, 4.5V
<70 мОмId, Vgs = 4.2A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC75-6 FLMP
SC75-6 FLMP
SC75-6 FLMP
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<2.5 кВт
<2.5 кВт
 
 
 
 
 
 
12 нФVds = 25V
12 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<55 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<55 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-264
TO-264
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7.2 мОмId, Vgs = 80A, 10V
<7.2 мОмId, Vgs = 80A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
ISOPLUS i4-PAC™
ISOPLUS i4-PAC™
IXYS
IXYS
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<21 А
<21 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<220 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<220 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
ISOPLUS i4-PAC™
ISOPLUS i4-PAC™
IXYS
IXYS
 
<900 мВт
 
 
 
1.09 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
<100 В
<4.4 А
 
 
N-ch
<60 мОмId, Vgs = 4.4A, 10V
 
Поверхневий
8-MLP, Power33
Fairchild Semiconductor
 
 
<1.92 Вт
<1.92 Вт
 
 
 
 
 
 
2.2 нФVds = 10V
2.2 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6.8 А
<6.8 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<30 мОмId, Vgs = 6.8A, 4.5V
<30 мОмId, Vgs = 6.8A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-MLP, MicroFET™
8-MLP, MicroFET™
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
<900 мВт
 
 
 
2.005 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<11.5 А
 
 
N-ch
<10.5 мОмId, Vgs = 11.5A, 10V
 
Поверхневий
8-MLP, Power33
Fairchild Semiconductor
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
1 нФVds = 10V
1 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6.6 А
<6.6 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<42 мОмId, Vgs = 6.6A, 4.5V
<42 мОмId, Vgs = 6.6A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
6-MLP, 6-MicroFET™
6-MLP, 6-MicroFET™
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
1.08 нФVds = 10V
1.08 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<9.5 А
<9.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<23 мОмId, Vgs = 9.5A, 4.5V
<23 мОмId, Vgs = 9.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
6-MLP, 6-MicroFET™
6-MLP, 6-MicroFET™
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<2.4 Вт
<2.4 Вт
 
 
 
 
 
 
935 пФVds = 10V
935 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5.7 А
<5.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<30 мОмId, Vgs = 5.7A, 4.5V
<30 мОмId, Vgs = 5.7A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
6-MLP, 6-MicroFET™
6-MLP, 6-MicroFET™
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor