FDM3622

FDM3622

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDM3622
Корпус мікросхеми
Корпус
8-MLP, Power33
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<900 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.09 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<4.4 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<60 мОмId, Vgs = 4.4A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
17 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate